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簡(jiǎn)要描述:功率器件可靠性是器件廠(chǎng)商和應用方除性能參數外最為關(guān)注的,也是特性參數測試無(wú)法評估的,失效分析則是分析器件封裝缺陷、提升器件封裝水平和應用可靠性的基礎。廣電計量功率器件失效根因分析,電子器件測試擁有業(yè)界專(zhuān)家團隊及先進(jìn)的失效分析設備,專(zhuān)注功率器件失效根因分析,可為客?提供完整的失效根因分析服務(wù)。
產(chǎn)品分類(lèi)
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品牌 | 廣電計量 | 服務(wù)區域 | 全國 |
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服務(wù)資質(zhì) | CMA/CNAS | 服務(wù)周期 | 常規5-7個(gè)工作日 |
服務(wù)費用 | 視具體項目而定 |
服務(wù)范圍
MOSFET、IGBT、DIODE、BJT,第三代半導體器件等分?器件,以及上述元件構成的功率模塊
檢測標準
l GJB548B-2005微電子器件試驗?法和程序
l GJB8897-2017J用電子元器件失效分析要求與?法
l QJ3065.5-98元器件失效分析管理要求
檢測項目
試驗類(lèi)型 | 試驗項? |
?損分析 | X 射線(xiàn)透視、聲學(xué)掃描顯微鏡、?相顯微鏡 |
電特性/電性定位分析 | 電參數測試、IV&CV 曲線(xiàn)量測、ESD、Photon Emission、OBIRCH、ATE 測試與三溫(常溫/低溫/高溫) 驗證 |
破壞性分析 | 開(kāi)封、去層、切?、芯?級切片、推拉力測試 |
微觀(guān)顯微分析 | DB FIB切?截?分析、FESEM 檢查、EDS微區元素分析、掃描電鏡、透射電鏡 |
相關(guān)資質(zhì)
CNAS
服務(wù)背景
受益于國產(chǎn)替代趨勢,國內功率器件廠(chǎng)商迎來(lái)了大的發(fā)展機會(huì )。在成長(cháng)中廠(chǎng)商迫切希望減少或消除產(chǎn)品失效,并在設計、?藝和產(chǎn)品研發(fā)、量產(chǎn)、可靠性測試、封裝等階段進(jìn)?改進(jìn),以迅速占領(lǐng)市場(chǎng)。廣電計量提供功率器件失效根因分析,電子器件測試服務(wù)。
我們的優(yōu)勢
廣電計量功率器件失效根因分析,電子器件測試擁有業(yè)界專(zhuān)家團隊及先進(jìn)的失效分析設備,專(zhuān)注功率器件失效根因分析,可為客?提供完整的失效根因分析服務(wù),針對產(chǎn)品的研發(fā)設計、來(lái)料檢驗、加?組裝、測試篩選、客?端使?等各個(gè)環(huán)節,為客?提供失效分析咨詢(xún)、協(xié)助客?開(kāi)展設計規劃、以及分析測試服務(wù)。
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