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簡(jiǎn)要描述:DPA破壞性物理元器件失效分析:廣電計量提供覆蓋被動(dòng)元件、分立器件和集成電路在內的元器件破壞性物理分析(DPA)服務(wù),其中針對先進(jìn)半導體?藝,具備覆蓋7nm以下芯片DPA分析能?,將問(wèn)題鎖定在具體芯片層或者μm范圍內,針對有水汽控制要求的宇航級空封器件,提供PPM級內部水汽成分分析,保證空封元器件特殊使用要求。
產(chǎn)品分類(lèi)
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品牌 | 廣電計量 | 服務(wù)區域 | 全國 |
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服務(wù)資質(zhì) | CNAS認可 | 服務(wù)周期 | 常規5-7個(gè)工作日 |
加急服務(wù) | 可提供 | 發(fā)票 | 可提供 |
報告類(lèi)型 | 中英文電子/紙質(zhì)報告 |
服務(wù)范圍
DPA破壞性物理元器件失效分析:集成電路芯片、電子元件、分立器件、機電類(lèi)器件、線(xiàn)纜及接插件、微處理器、可編程邏輯器件、存儲器、AD/DA、總線(xiàn)接?類(lèi)、 通?數字電路、模擬開(kāi)關(guān)、模擬器件、微波器件、電源類(lèi)等。
檢測標準
●GJB128A-97半導體分?器件試驗方法
●GJB360A-96電子及電?元件試驗方法
●GJB548B-2005微電子器件試驗方法和程序
●GJB7243-2011J用電子元器件篩選技術(shù)要求
●GJB40247A-2006J用電子元器件破壞性物理分析方法
●QJ10003—2008進(jìn)口元器件篩選指南
●MIL-STD-750D半導體分立器件試驗方法
●MIL-STD-883G微電子器件試驗方法和程序
檢測項目
●非破壞性項目:外部目檢、X 射線(xiàn)檢查、PIND、密封、引出端強度、聲學(xué)顯微鏡檢查;
●破壞性項目:激光開(kāi)封、化學(xué)開(kāi)封、內部?體成分分析、內部目檢、SEM檢查、鍵合強度、剪切強度、粘接強度、IC取芯片、 芯片去層、襯底檢查、PN結染?、DB FIB、熱點(diǎn)檢測、漏電位置檢測、彈坑檢測、ESD測試
相關(guān)資質(zhì)
CNAS
服務(wù)背景
DPA破壞性物理元器件失效分析:電子元器件制造?藝質(zhì)量?致性是電子元器件滿(mǎn)足其用途和相關(guān)規范的前提。?量偽造翻新元器件充斥著(zhù)元器件供應市場(chǎng),如何確定貨架元器件真偽是困擾元器件使用方的?大難題。
我們的優(yōu)勢
●提供覆蓋被動(dòng)元件、分立器件和集成電路在內的元器件破壞性物理分析,其中針對先進(jìn)半導體?藝,具備覆蓋7nm以下芯片DPA分析能力,將問(wèn)題鎖定在具體芯片層或者μm范圍內;
●針對有水汽控制要求的宇航級空封器件,提供PPM級內部水汽成分分析,保證空封元器件特殊使用要求。
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